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不仅仅是节省元器件:劲芯微带来SoC高集成Tx发射芯片CV90326

2018-12-08 16:25:26 深圳劲芯微电子有限公司 阅读

    近期我司推出了最新的SoC高集成无线充电发射芯片CV90326。该款无线充电发射芯片具备高集成度,高性能以及高效率的特点,支持WPC最新的V1.2.4规范Qi协议标准,包括5W BPP,10W/15W EPP,以及三星快充SFC和苹果定频7.5W快充。

CV90326 QFN48.png

   在CV90326单线圈基于10W+7.5W的定频移相的应用设计中,其外围线路的设计非常精简,除了外置的MOS等功率器件外,板上器件基本只有阻容。这样在确保整体系统稳定性的前提下,实现了最大程度的线路设计简化。对于应用此方案的厂商来讲,不仅生产成本大大降低,也极大减少了设计以及调试难度。CV90326内置MOS Driver具备死区可变并可针对负载自适应调整的特性,可确保生产厂商在MOS选型方面具备较大的灵活度和安全性;其内置的低失调运算放大器具备零漂自校正的特点,良好的线性度以及极宽的线性区间范围,可确保系统的电流基准精确,从而具备极佳的FOD检测能力。在能量转化效率方面,该方案则达到了业内领先水平。除此之外,CV90326亦可根据应用需求,实现定频调压的系统。

     作为一款高集成的无线充电发射芯片,CV90326集成了MCU,MOS驱动,12位ADCs,高速PWM,低失调运算放大器,解调单元和2000次可重复擦写的NVRAM。该芯片支持I2C,Uart,SPI接口,应用了业界领先的32位ARM®Cortex®-M0处理器,可提供高水平的可编程性,同时消耗极低的待机功耗并满足能源之星ENERGYSTAR®要求。

    此外,CV90326的微控制器还可使用户能够自定义LED模式,蜂鸣器和FOD阈值设置等功能。增强型MCU和高速PWM可提供高精度的高功率输出,每个模拟部分均可禁用/启用,因此芯片消耗极低的待机功耗并满足EnergyStar®要求。在保护机制方面,其具备输入欠压,输入过压,输出短路和过温保护等保护功能。CV90326采用无铅制程生产,5×5 mm,48针脚-QFN封装,额定工作温度范围为-40ºC至+85ºC。

      CV90326的主要特征:电源电压为3.3V至5.5V;兼容WPC 1.2.4(BPP 5W);支持超过10W(最高达15W)的高速充电器Rx输出功率;支持QC2.0,QC3.0适配器;针对最佳EMI性能进行了优化;同时电压和电流解调;嵌入式8位增强型8051内核,16kBytes NVRAM;内建在线模拟模块;内置PLL模块;嵌入式定制128MHz PWM模块;外部MOSFET的集成栅极驱动器;集成12位8通道ADC;集成低偏移Op-Amplifiers,具有自动校准功能;8个通用I/O,带I2C和UART接口;过流和过温保护;-40ºC至+85ºC的温度范围;采用5x5mm,48针脚-QFN封装。
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